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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
13.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
37
38
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2259
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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