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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
75
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
28
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2588
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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