RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2588
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link