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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
75
Autour de -168% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2588
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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