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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
75
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
28
读取速度,GB/s
2,730.3
13.4
写入速度,GB/s
2,072.7
10.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2588
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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