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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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规格
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
16.4
18.8
写入速度,GB/s
11.0
15.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3734
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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