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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
62
左右 -170% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
23
读取速度,GB/s
3,556.6
16.9
写入速度,GB/s
1,843.6
13.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3081
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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