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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
7.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2955
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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