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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
39
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
19
读取速度,GB/s
12.1
20.4
写入速度,GB/s
9.8
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
3855
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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