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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
9.3
15.5
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2822
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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