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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
53
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.9
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
33
读取速度,GB/s
3,726.4
8.9
写入速度,GB/s
1,590.1
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1946
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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