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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.1
17.8
写入速度,GB/s
4.7
14.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3386
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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