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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 28
    左右 -47% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.4 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.8 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 20.4
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 17.8
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3855

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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内存RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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