RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3855
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link