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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
75
En -168% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2588
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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