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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.2
13.5
写入速度,GB/s
8.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2259
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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