Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 38
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.5 left arrow 13.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 38
  • 读取速度,GB/s
    13.2 left arrow 13.5
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 8.4
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2259
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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