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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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更快的读取速度,GB/s
15.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
11.7
15.5
写入速度,GB/s
6.9
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1922
2910
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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