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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
11.4
14.6
写入速度,GB/s
7.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2915
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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