RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
2915
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link