RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
44
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
44
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2259
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link