RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
39
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2903
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link