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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
39
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2903
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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