RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
52
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
52
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2472
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link