Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Puntuación global
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 39
    En 26% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.7 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 14.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.9 left arrow 9.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2046 left arrow 2322
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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