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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
39
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
12.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.2
6.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
39
読み出し速度、GB/s
12.2
14.7
書き込み速度、GB/秒
6.9
9.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2046
2322
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CAS Latency (CL) *
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