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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
39
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
6.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
39
Velocità di lettura, GB/s
12.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2046
2322
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Confronto tra le RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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