Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 39
    Intorno 26% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 12.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 6.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.2 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.9 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2046 left arrow 2322
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RAM 2

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