RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
39
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.9
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2046
2322
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link