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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
21.0
写入速度,GB/s
2,404.5
15.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3458
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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