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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
81
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
81
读取速度,GB/s
4,937.3
13.5
写入速度,GB/s
2,061.2
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1523
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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