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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
16.5
写入速度,GB/s
12.0
13.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2741
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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