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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
比较
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.2
15.1
写入速度,GB/s
9.3
11.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2382
2814
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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