RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2741
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link