Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Причины выбрать
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.5 12.0

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 41

Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 16.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 33
Скорость чтения, Гб/сек

16.3 17.6
Скорость записи, Гб/сек

13.5 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 25600

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3146 2910

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

модули RAM

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Kingston K000MD44U 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM