Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21% выше полоса пропускания

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 63

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11 8.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.0 7.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

63 40
Скорость чтения, Гб/сек

8.1 11.0
Скорость записи, Гб/сек

7.5 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 10600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1945 2493

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB

Kingston 9905403-439.A00LF 4GB

Kingston 9905403-439.A00LF 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

модули RAM