RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против INTENSO 5641152 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
INTENSO 5641152 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.8
1,574.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,858.9
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,574.4
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
607
2215
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
INTENSO 5641152 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link