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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
比較する
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs INTENSO 5641152 4GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
総合得点
INTENSO 5641152 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.1
テスト平均値
考慮すべき理由
INTENSO 5641152 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
65
周辺 -183% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.8
1,574.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
23
読み出し速度、GB/s
3,858.9
14.1
書き込み速度、GB/秒
1,574.4
6.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
607
2215
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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