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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
比較する
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,201.1
1,574.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
65
74
周辺 -14% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
74
65
読み出し速度、GB/s
4,178.4
3,858.9
書き込み速度、GB/秒
2,201.1
1,574.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
5300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
508
607
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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