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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
74
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
74
65
读取速度,GB/s
4,178.4
3,858.9
写入速度,GB/s
2,201.1
1,574.4
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
607
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM的比较
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
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