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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
1,574.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
74
Intorno -14% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
74
65
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
3,858.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
1,574.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
5300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
607
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
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