Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,201.1 left arrow 1,574.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
    En 1.21% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    65 left arrow 74
    En -14% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    74 left arrow 65
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,178.4 left arrow 3,858.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,201.1 left arrow 1,574.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    508 left arrow 607
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones