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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
48
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2720
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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