RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
48
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2720
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link