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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3938
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
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