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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

总分
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

总分
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Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    50 left arrow 65
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    1,923.1 left arrow 1,574.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    6400 left arrow 5300
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 50
  • 读取速度，GB/s
    3,858.9 left arrow 4,433.3
  • 写入速度，GB/s
    1,574.4 left arrow 1,923.1
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    607 left arrow 761

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM的比较

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