Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB против Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    50 left arrow 65
    Около -30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,923.1 left arrow 1,574.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,858.9 left arrow 4,433.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,574.4 left arrow 1,923.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    607 left arrow 761
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения