RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
65
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,923.1
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
65
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
4,433.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
1,923.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
761
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link