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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
74
左右 -311% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
18
读取速度,GB/s
4,178.4
21.4
写入速度,GB/s
2,201.1
18.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3625
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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