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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs INTENSO 5641152 4GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Puntuación global
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INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 14.1
    Valor medio en las pruebas
INTENSO 5641152 4GB Razones a tener en cuenta
INTENSO 5641152 4GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 65
    En -183% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 1,574.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 5300
    En 3.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,858.9 left arrow 14.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,574.4 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    607 left arrow 2215

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM

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INTENSO 5641152 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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