RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
63
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
63
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2493
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link