RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link