RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3076
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link